대용량 EEPROM 메모리 셀 검증용 모듈 회로 설계

박헌; 김일준; 하판봉; 김영희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박헌 (창원대학교) 김일준 (창원대학교) 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)

저널정보: 한국정보전자통신기술학회 한국정보전자통신기술학회 논문지 한국정보전자통신기술학회 논문지 제10권 제2호

발행연도: 2017.4

수록면: 176 - 183 (8page)

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대용량 EEPROM 메모리를 테스트하는 경우 erase time과 program time이 많이 걸리는 문제가 있다. 또한 신뢰성 테스트를 진행하면서 각 스텝마다 EEPROM 셀의 문턱전압 VT를 테스트할 필요가 있다. 본 논문에서는 512kb EEPROM 셀 검증용 모듈 회로를 설계하였으며, negative VTE를 갖는 split gate EEPROM의 VT 측정을 위한 CG(Control Gate) 구동회로를 제안하였다. 제안된 CG 구동회로는 erase VT를 측정하기 위해 -3V~0V의 negative 전압이 인가될 수 있도록 asymmetric isolated HV (High-Voltage) NMOS 소자를 사용하였다. 그리고 test time reduction 모드에서는 even page, odd page, chip 단위로 erase나 program 수행이 가능하도록 회로를 설계하므로 512Kb EEPROM 전체 메모리를 erase하거나 program할 때 시간을 even page와 odd page를 이용하는 경우는 4ms, chip 전체로 하는 경우는 2ms로 테스트 시간을 줄일 수 있었다.

#CG driver #EEPROM #High-voltage device #Threshold voltage #Test time

참고문헌 (8)

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[학술지(정기간행물)] - F. Xu / 2004 / Key Design Techniques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory / Communication, Circuits and System 2 : 1516 ~ 1520

[학술지(정기간행물)] - A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2) : 507 ~ 514

[학술대회논문] - M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid State Circuits Conference : 38 ~ 42

[학술지(정기간행물)] - 김용호 / 2015 / MCU용 Fast 256Kb EEPROM 설계 / 한국정보통신학회논문지 19 (3) : 567 ~ 574

[단행본] - Y. H. Kim / 2009 / Semiconductor Memory Design / Changwon University Press

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