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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제12호
발행연도
2004.1
수록면
1,296 - 1,300 (5page)

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SnO2 is one of the most suitable gas sensor materials. The microstructure and surface morphology of films must be controlled because the electrical and optical properties of SnO2 films depend on these characteristics. The effects of chemical mechanical polishing(CMP) on the variation of morphology of SnO2 films prepared by RF sputtering system were investigated. The commercially developed ceria-based oxide slurry, silica-based oxide slurry, and alumina-based tungsten slurry were used as CMP slurry. Non-uniformities of all slurries met stability standards of less than 5 %. Silica slurry had the highest removal rate among three different slurries, sufficient thin film topographies and suitable root mean square(RMS) values.
#CMP #chemical mechanical polishing) #SnO2 thin film #Removal rate #Non-uniformity

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참고문헌 (7)

참고문헌 신청
/ 1995. / 박막형 SnO2 가스 센서의 특성에 관한 연구 (3) : 278 ~ google schola / 1998. / Chemical Mechanical Polishing(CMP) 공정을 이용한 multilevel metal 구조의 광역평탄화에 관한 연구 11 (12) : 1084 ~ google schola / 1999. / Improved STI CMP Technology for Micro-scratch Issue : 322 ~ google schola / 1999. / Investigation of CMP Micro-scratch in the Fabrication of Sub-quarter Micron VLSI circuit : 77 ~ google schola / 2001. / An optimization of tungsten plug chemical mechanical polishing (CMP) using different consumables 12 : 63 ~ google schola

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