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C₄F₈/O₂ 공정기체와 E-ICP를 이용한 산화막 식각
대한전자공학회 학술대회
2001 .06
나노 반도체 소자를 위한 펄스 플라즈마 식각 기술
한국표면공학회지
2015 .12
Optimized Process Analysis of SiO₂ etch using CFD Simulation
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
Plasma and Reactive Ion Etching
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP)를 이용한 Silylated photoresist 식각공정개발
전기전자재료학회논문지
2002 .01
E-ICP와 ICP를 이용한 MIS(Mo/HfO₂/Si) Capacitor의 Plasma Etching Damage 연구
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
E-ICP와 ICP를 이용한 MIS(Mo/HfO₂/Si) Capacitor의 Plasma Etching Damage 연구
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
펄스직류방전과 유도결합방전의 복합에 의한 SCM440강의 이온질화
한국표면공학회지
2010 .04
The Development of Cl-Plasma Etching Procedure for Si and SiO₂
한국표면공학회지
2001 .10
Plasma Characteristics of (DF-ICP) Dual Frequency Inductively Coupled Pulsed Plasma Source
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
Plasma Etching of SiO₂ Using Remote-type Pin-To Plate Dielectric Barrier Discharge
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
ICP 식각 시스템에 의한 초전도 스트립 라인의 임계 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2004 .01
The Use of Inductively Coupled CF4/Ar Plasma to Improve the Etch Rate of ZrO2 Thin Films
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2013 .01
Mechanism of SiO2 etching in fluorocarbon plasmas
한국에너지학회 학술발표회
2014 .04
SiO2 식각 특성 개선을 위한 E-ICP와 ICP 식각 비교
대한전자공학회 학술대회
1999 .11
Etching Characteristics of Contact Holes with a Phase-Controlled Pulsed Inductively Coupled Plasma
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Effect of $O_2$ or $NF_3$ plasma treatments on contaminated silicon surface due to $CHF_{3}/C_{2}F_{6}$ reactive ion etching
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
Inductively coupled plasma reactive ion etching of ZnO using $C_2F_6$ and $BCl_3-based$ gas Plasmas
한국재료학회 학술발표대회
2006 .01
3차원 소자 제작을 위한 ICP Type Remote PEALD를 이용한 저온(< 300℃) SiO<sub>2</sub> 및 SiON 박막 공정
반도체디스플레이기술학회지
2019 .01
Plasma etching behavior of RE-Si-Al-O glass (RE: Y, La, Gd)
한국재료학회 학술발표대회
2010 .01
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