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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 654 - 658 (5page)
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For investigation of surface leakage currrent of AlGaN/GaN heterostructures through etched GaN buffer surface and mesa wall, three kind of surface-leakage-test-patterns were fabricated. and we measured the surface leakage current of each patterns. In result of our work, the surface leakage current of pattern of which Schottky contact is formed on etched mesa wall is the largest. the leakage current through schottky contact on etched mesa wall is predominant in AlGaN/GaN heterostructures.
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D. D. Koleske / 2007 / Understanding GaN nucleation layer evolution on sapphire and its impact on GaN dislocation density / Proc. SPIE 6841 : 68410H ~
D. Ueda / 2005 / AlGaN/GaN Devices for Future Power Switching Systems / Int. Electron Device Meeting Tech. Dig : 389 ~
S. J. Pearton / 1999 / GaN:Processing,defects,and devices / J. Appl. Phys. 86 : 1 ~
석오균 / 2009 / 식각되지 않은 영역에서의 쇼트키 컨택을 이용한 AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistors(HEMTs) / 16회 반도체 학술대회
D. Ueda / 2005 / AlGaN/GaN Devices for Future Power Switching Systems / Int. Electron Device Meeting Tech. Dig : 389 ~
S. J. Pearton / 1999 / GaN:Processing,defects,and devices / J. Appl. Phys. 86 : 1 ~
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