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논문 기본 정보

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정강민 (고려대학교) 김재무 (고려대학교) 김희동 (고려대학교) 김동호 (고려대학교) 김태근 (고려대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第10號
발행연도
2010.10
수록면
23 - 28 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 분극에 의한 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대해서 분석하였다. 몰 분율, AlGaN barrier 층의 두께의 물리적인 변화에 따라서 이차원 전자가스 채널의 농도 변화가 이루어지는 것을 바탕으로 DC 특성 및 분극을 고려한 최적화된 구조에 대해서 시뮬레이션을 진행하였다. AlGaN의 몰 분율이 0.3 몰에서 0.4 몰로 증가할수록 분극에 의한 bound sheet charge가 16 % 증가하며 그에 따라서 Id-Vd 특성 역시 37% 증가하게 된다. 또한 AlGaN 층의 두께가 17 ㎚에서 38 ㎚로 증가할수록 Id-Vd의 특성이 증가하다가 임계두께인 39 ㎚에 이르게 되면 AlGaN층의 relaxation에 의해서 급격하게 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (14)

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