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Er-doped ZnO(ZnO:Er) films were deposited onto MgO wafers by ultrasonic spray pyrolysis at 550℃ varying the concentration of Er in the deposition source from 0.5 ﾠwt% to 3.0 ﾠwt%. Annealing of the films in a vacuum was carried out to increase the intensity of ultraviolet(UV) emission from the films. The annealing temperature was between 600℃ and 800℃. The crystallographic properties and surface morphology of the films were investigated by X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscope(SEM), respectively. The properties of photoluminescence(PL) for the films were inves- tigated by the dependence of PL spectra on the annealing temperature. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was conducted to find the composition change in the films by the annealing.
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H.S. Kang / 2003 / Variation of light emitting properties of ZnO thin films depending on post-annealing temperature / Mater. Sci. Eng. B 102 : 313 ~
H.S. Kang / 2003 / Variation of light emitting properties of ZnO thin films depending on post-annealing temperature / Mater. Sci. Eng. B 102 : 313 ~ 316
I.S. Jeong / 2003 / Ultraviolet- enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure / Appl. Phys. Lett. 83 (14) : 2946 ~ 2948
K. Takahei / 1993 / Selective formation of an efficient Er-O luminescence center in GaAs by metalorganic chemical vapor deposition under an atmosphere containing oxygen / J.
K. Vanheusden / 1996 / Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors / Appl. Phys. Lett 68 : 403 ~
H.S. Kang / 2003 / Variation of light emitting properties of ZnO thin films depending on post-annealing temperature / Mater. Sci. Eng. B 102 : 313 ~ 316
I.S. Jeong / 2003 / Ultraviolet- enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure / Appl. Phys. Lett. 83 (14) : 2946 ~ 2948
K. Takahei / 1993 / Selective formation of an efficient Er-O luminescence center in GaAs by metalorganic chemical vapor deposition under an atmosphere containing oxygen / J.
K. Vanheusden / 1996 / Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors / Appl. Phys. Lett 68 : 403 ~
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