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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 756 - 759 (4page)
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We described the growth of undoped ZnO thin films and their optical properties changing with a various growth temperature. The undoped ZnO thin films were grown on c-Al2O3 substrates using pulsed laser deposition (PLD) at room temperature, 200, 400, and 600oC, respectively. Field emission microscopy (FE-SEM) measurements showed that the grain size of undoped ZnO thin films are increasing as a increase of growth temperature. In addition, we were investigated that the structural and optical properties of undoped ZnO thin films by x-ray diffraction (XRD) and photoluminescence (PL) studied. Also, we could confirmed that the exciton luminescence was strongly related to charge trap by grain boundary of the samples using micro-PL measurement.
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S. Chang / 2008 / Efficient suppression of charge trapping in ZnO-based transparent thin film transistors with novel Al2O3/ HfO2/Al2O3 structure / Appl. Phys. Lett. 92 (Iss19
S. Masuda / 2003 / Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties / J. Appl. Phys. 93 (Iss3) : 1624 ~
S. P. Chang / 2009 / MBE n-ZnO/MOCVD p-GaN heterojunction light-emitting diode / Thin Solid Films 517 (Iss17) : 5054 ~
S. Y. Lee / 2008 / Synthesis and analysis of resistance-controlled Ga-doped ZnO nanowires / J. Cryst. Growth 310 (Iss20) : 4477 ~
U. Ozgur / 2005 / A comprehensive review of ZnO materials and devices / J. Appl. Phys. 98 (Iss4) : 041301 ~
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