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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 611 - 617 (7page)
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We report the preparation of N doped, p-type ZnO films by post-annealing in NH3 ambient. The properties were examined by XRD, Hall-effect measurement, PL, and SIMS. ZnO films showed better crystallinity and electron concentration of 1015 - 1017 /cm3 with post-annealing in NH3 ambient. These films were converted to p-type ZnO by activation thermal annealing process at 800 oC under N2 ambient. The electrical properties of the p-type ZnO showed a hole concentration of 1.06 × 1016 /cm3, a mobility of 15.8 cm2/V·s, and a resistivity of 40.18 Ω·cm. The N doped ZnO films showed a strong photoluminescence peak at 3.306 eV at 13 K, which is closely related to neutral acceptor bound excitons of the p-type ZnO:N. In the SIMS spectra, the incorporation of nitrogen was confirmed.
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/ 1983. / Electronic properties of vapor-grown heteroepitaxial ZnO film on sapphire 22 : 794 ~
/ 1993. / Origin of the low doping efficiency of nitrogen acceptors in ZnSe grown by metalorganic chemical vapor deposition 63 : 3353 ~
/ 1996. / Effects of annealing atmosphere and temperature on acceptor activation in ZnSe N grown by photoassisted MOVPE 159 : 312 ~
/ 1997. / Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition 36 : 1453 ~
/ 2000. / Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide thin films 76 : 259 ~
/ 1993. / Origin of the low doping efficiency of nitrogen acceptors in ZnSe grown by metalorganic chemical vapor deposition 63 : 3353 ~
/ 1996. / Effects of annealing atmosphere and temperature on acceptor activation in ZnSe N grown by photoassisted MOVPE 159 : 312 ~
/ 1997. / Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition 36 : 1453 ~
/ 2000. / Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide thin films 76 : 259 ~
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