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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제43권 제2호
발행연도
2006.2
수록면
8 - 12 (5page)

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졸-겔 법으로 Pt/TiO₂/SiO₂/Si 기판 위에 ZnO 박막을 제작하여, 열처리 온도에 따른 박막의 결정화 특성 및 미세구조와 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정 결과로부터, 열처리 온도가 600℃ 일때 가장 우수한 c-축 배향성을 나타냈으며, 이때 반가폭은 0.4360° 이었다. AFM 으로 ZnO 박막의 표면형상과 표면 거칠기를 관찰한 결과, 600℃ 열처리 온도에서 입자가 고르게 성장하여 치밀한 박막이 형성되었음을 관찰할 수 있었고, 표면 거칠기도 1.048㎚ 로 가장 우수한 값을 나타내었다. ZnO 박막의 열처리 온도에 따른 PL 특성을 조사한 결과, 600℃ 로 열처리된 ZnO 박막에서 자외선 영역의 발광 피크 (378㎚)는 가장 크게 가시광 영역의 발광 피크 (510㎚)는 가장 작게 관찰되었다. 가시광 영역의 발광 피크가 작은 것은 산소 공공 또는 불순물이 매우 적다는 것을 의미하므로, 600℃로 열처리된 ZnO 박막은 비교적 화학양론적으로 성장되었음을 확인할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험 방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (13)

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