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This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The 1 μm thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C- SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the 100 ~ 40 μm long cantilevers, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz ~ 856.3 kHz. The 100 μm and 80 μm long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5 kHz and 1.14 MHz, respectively. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/ chemical sensor applications.
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C. T. C. Nguyen / 1998 / Micromachined devices for wireless communications / Proc. IEEE 86 : 1756 ~ 1768
J. H. Jeong / 2008 / Raman scattering investigation of polycrystalline 3C-SiC film deposited on SiO₂ by using APCVD with hexamethyldisilane / J. Kor. Phys. Soc 52 : 43 ~ 47
J. Yang / 2000 / Mechanical behavior of ultrathin microcantilever / Sens. Actuator 82 : 102 ~ 107
K. S. Kim / 2008 / Electrical characteristics of in-situ-doped polycrystalline 3C-SiC thin films deposited by using CVD / J. Korean Phys. Soc 53 : 822 ~ 825
P. S. Waggoner / 2007 / Micro and nanomechanical sensors for environmental, chemical and biological detection / Lap Chip 7 : 1238 ~ 1255
J. H. Jeong / 2008 / Raman scattering investigation of polycrystalline 3C-SiC film deposited on SiO₂ by using APCVD with hexamethyldisilane / J. Kor. Phys. Soc 52 : 43 ~ 47
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