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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 314 - 317 (4page)
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This paper describes the temperature characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonators. The 1.2 ㎛ and 0.4 ㎛ thick polycrystalline 3C-SiC cantilever and doubly clamped beam resonators with 60 ~ 100 ㎛ lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at temperature range of 25 ~ 200 ℃. The TCF(Temperature Coefficient of Frequency) of 60, 80 and 100 ㎛ long cantilever resonators were -9.79, -7.72 and -8.0 ppm/℃. On the other hand, TCF of 60, 80 and 100 ㎛ long doubly clamped beam resonators were -15.74, -12.55 and -8.35 ppm/℃. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable with RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications in harsh environments.
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C. M. Su / 1995 / Elastic and anelastic properties of chemical vapor deposited epitaxial 3C-SiC / J. Appl. Phys. 77 : 5611 ~
G. S. Chung / 2007 / Magnetron reactive ion etching of polycrystalline 3C-SiC thin films / J. Korean Phys. Soc. 51 : 1673 ~
G. Stemme / 1991 / Resonant silicon sensors / J. Micromech. Microeng. 1 : 113 ~
H. Guckel / 1992 / Polysilicon resonant microbeam technology for high performance sensor applications / Proc. IEEE Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head, SC : 153
K. Wang / 2000 / VHF free-free beam high Q micro-mechanical resonators / J. Microelectromech. Syst. 9 : 347 ~
G. S. Chung / 2007 / Magnetron reactive ion etching of polycrystalline 3C-SiC thin films / J. Korean Phys. Soc. 51 : 1673 ~
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H. Guckel / 1992 / Polysilicon resonant microbeam technology for high performance sensor applications / Proc. IEEE Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head, SC : 153
K. Wang / 2000 / VHF free-free beam high Q micro-mechanical resonators / J. Microelectromech. Syst. 9 : 347 ~
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