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This paper describes the characteristics of poly (polycrystalline) 3C-SiC grown on SiO2 and AlN substrates, respectively.The crystalinity and the bonding structure of poly 3C-SiC grown on each substrate were investigated according to variouswidth half maximum) of XRD and FT-IR by increasing the growth temperature. The minimum growth temperature ofpoly 3C-SiC was 1100oC. The surface chemical composition and the electron mobility of poly 3C-SiC grown on eachsubstrate were investigated by XPS and Hall Efect, respectively. The chemical compositions of surface of poly 3C-SiCfilms grown on SiO2 and AlN were not diferent. However, their electron mobilities were 7.65 cm2/V.s and 14.8 cm2/V.s,respectively. Therefore, since the electron mobility of poly 3C-SiC films grown on AlN bufer layer was two times higherthan that of 3C-SiC/SiO2, a AlN film is a suitable material, as bufer layer, for the growth of poly 3C-SiC thin filmswith excellent properties for M/NEMS applications.
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/ 2000 / “Comparison of AlN thin films grown on sapphire and cubic-SiC substrate by LP-MOCVD” 209 : 410 ~ 414
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 3 : 210 ~ 218
/ 2001 / Monocrystalline silicon carbide nanoelectromechanical systems 78 : 165 ~ 167
/ 2006 / Characteirization of 4H-SiC grown on AlN/Si(100) by CVD 515 : 580 ~ 582
/ 2006 / “Ohmic contact characteristics of polycrystalline 3C-SiC for high-temperature MEMS application” 15 : 386 ~ 390
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 3 : 210 ~ 218
/ 2001 / Monocrystalline silicon carbide nanoelectromechanical systems 78 : 165 ~ 167
/ 2006 / Characteirization of 4H-SiC grown on AlN/Si(100) by CVD 515 : 580 ~ 582
/ 2006 / “Ohmic contact characteristics of polycrystalline 3C-SiC for high-temperature MEMS application” 15 : 386 ~ 390
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