지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록· 키워드
오류제보하기
This paper describes the fabrication and characteristics of Schottky micro hydrogen sensors for high temperatures by using polycrystalline(poly) 3C-SiC thin films grown on Si substrates with thermal oxide layer using APCVD. Pd/poly 3C-SiC Schottky diodes were made and evaluated by I-V and C-V measurements. Electric current density and barrier height voltage were 2×10-3 A/㎠ and 0.58 eV, respectively. These devices could operate stably at about 400℃. The characteristics of implemented sensors have been investigated in terms of sensitivity, linearity of response, response rate, and response time. Therefore, from these results, Pd/poly 3C-SiC Schottky devices have very high potential for high temperature H2 sensor applications.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
C. K. Kim / 2001 / Pd- and Pt-SiC Schottky diodes for detection of H2 and CH4at high temperature / Sen. Actuators B 77 : 455 ~ 462
N, Yamazoc / 1992 / Some basic aspects of semiconductor gas sensors / Chem. Sens. Tech. 4 : 19 ~ 23
S-Y Cheng / 2003 / A hydrogen sensitive Pd/GaAs schottky diode sensor / Mater. Chem. Phys 78 (2) : 525 ~ 528
S. Roy / 2004 / Current transport properties of Pd/3C-SiC Schottky junctions with planer and vertical structures / Solid State Sci. 6 : 377 ~ 382
김강산 / 2008 / 도핑농도에 따른 다결정 3C-SiC 박막의 기계적 특성 / 센서학회지 17 (4) : 256 ~ 260
N, Yamazoc / 1992 / Some basic aspects of semiconductor gas sensors / Chem. Sens. Tech. 4 : 19 ~ 23
S-Y Cheng / 2003 / A hydrogen sensitive Pd/GaAs schottky diode sensor / Mater. Chem. Phys 78 (2) : 525 ~ 528
S. Roy / 2004 / Current transport properties of Pd/3C-SiC Schottky junctions with planer and vertical structures / Solid State Sci. 6 : 377 ~ 382
김강산 / 2008 / 도핑농도에 따른 다결정 3C-SiC 박막의 기계적 특성 / 센서학회지 17 (4) : 256 ~ 260
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Pd- 및 Pt-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지 특성
전기학회논문지 C
2000 .07
-
Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
-
고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )
전자공학회논문지-D
1998 .11
-
SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .10
-
Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
-
Pd/Ta₂O₅/SiC 구조의 고온용 수소가스 센서
대한전자공학회 학술대회
2013 .07
-
금속 (Pt)과 4H-SiC의 계면상태에 따른 실리콘 카바이드 기반 고온 가스센서 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .11
-
SiC/SiC 복합재료의 제조 및 특성
대한기계학회 춘추학술대회
2012 .02
-
다결정 3C-SiC 박막 다이오드의 전기적 특성
센서학회지
2007 .01
-
FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
반응소결 SiC 재료와 SiC_f/SiC 복합재료의 특성
대한기계학회 춘추학술대회
2003 .04
-
CVD로 성장된 다결정 3C-SiC 박막의 전기적 특성
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2007 .01
-
SiC 단체와 SiC/SiC 복합재료의 충격파괴거동
대한기계학회 춘추학술대회
2012 .02
-
Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
-
3C-SiC 광기전 특성 기반 광학식 수소센서의 제작과 그 특성
센서학회지
2012 .01
-
용융함침법에 의한 반응소결 SiC/SiC 복합재료의 특성 평가
대한기계학회 논문집 A권
2007 .02
-
$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
ICP-CVD로 성장된 SiC박막의 Ni 금속 접합과 Ni/SiC Schottky diode의 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0