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High temperature micro pressure sensors were fabricated by using polycrystalline 3C-SiC piezoresistors grown on oxidized SOI substrates by APCVD. These have been made by bulk micromachining under 1 × 1 mm2 diaphragm and Si membrane thickness of 20 μm. The pressure sensitivity of implemented pressure sensors was 0.1 mV/V·bar. The non- linearity and the hysteresis of sensors were ± 0.44 %·FS and 0.61 % · FS. In the temperature range of 25 oC ~ 400 oC with 5 bar FS, TCS (temperature coefficient of sensitivity), TCR (temperature coefficient of resistance), and TCGF (temperaturecoefficient of gauge factor) of the sensor were −1867 ppm/oC, −792 ppm/oC, and −1042 ppm/oC, respectively.
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C. A. Zorman / 2002 / Silicon carbide for MEMS and NENS an overview / Proc. of the IEEE 2 : 1109 ~ 1114
C. H. Wu / 2006 / Fabrication and testing of bulk micromachined silicon carbide piezoresistive pressure sensors for high temperature applications / IEEE Sensors J 6 (2) : 316
D. J. Young / 2004 / High-temperature single- crystal 3C-SiC capacitive pressure sensor / IEEE Sensors J 4 (4) : 464 ~ 470
G. Krotz / 1999 / Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on SOI for sensor applications / Materials Sci. & Eng 61 : 516 ~ 521
G. S. Chung / 2009 / Characteristics of polycrystalline 3C- SiC films grown for extreme environ- ment micro/nano electromechanical systems by using a single-source precursor
C. H. Wu / 2006 / Fabrication and testing of bulk micromachined silicon carbide piezoresistive pressure sensors for high temperature applications / IEEE Sensors J 6 (2) : 316
D. J. Young / 2004 / High-temperature single- crystal 3C-SiC capacitive pressure sensor / IEEE Sensors J 4 (4) : 464 ~ 470
G. Krotz / 1999 / Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on SOI for sensor applications / Materials Sci. & Eng 61 : 516 ~ 521
G. S. Chung / 2009 / Characteristics of polycrystalline 3C- SiC films grown for extreme environ- ment micro/nano electromechanical systems by using a single-source precursor
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