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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제13권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
303 - 308 (6page)

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This paper descibes on the characteristics of Ta-N(tantalum nitride) ceramic thin-film strain gauges which weredeposited on Si substrates by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere (Ar-(4~16%)N2) forhigh-temperature applications. These films were annealed in 2 10-6 Torr vacuum furnace at the range of 500~1000oC.Optimum deposition atmosphere and annealing temperature were determined at 900oC for 1 hr. in 8% N2 gas flowratio. Under optimum formation conditions, the Ta-N thin-film for strain gauges was obtained a high-resistivity of768.93mW cm, a low temperature coefficient of resistance (TCR) of -84 ppm/oC and a good longitudinal gauge factor(GF) of 4.12.
#Ta-N thin-film #strain gauge #resistivity #TCR #gauge factor

목차

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참고문헌 (10)

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/ 1986. / Behaviour of Bi Sb alloy thin-film as strain gauge 137 : 199 ~ 205 google schola / 1990. / Constantan thin-film strain gauge load cell : 149 ~ 152 google schola / 1990. / Thin-film pressure transducer with manganese film as the strain gauge 24 : 35 ~ 39 google schola / 1991. / N films prepared by reactive sputtering 240 : 238 ~ 241 google schola / 1993. / Ion-beam sputtered thin-film strain gauge pressure transducers 35 : 265 ~ 268 google schola

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