실리콘 웨이퍼에 2중 다이싱 공정의 도입이 반도체 디바이스의 T.C. 신뢰성에 미치는 영향

이성민

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이성민

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제4호

발행연도: 2009.1

수록면: 1 - 4 (4page)

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본 연구에서는 실리콘 웨이퍼에 2중 다이싱 공정의 적용이 리드-온-칩 패키지로 조립되는 반도체 디바이스의 T.C. (-65℃에서 150℃까지의 온도변화에 지배되는 신뢰성 실험) 신뢰성에 어떠한 영향을 미치는 지를 보여준다. 기존 싱 글 다이싱 공정은 웨이퍼에서 분리된 디바이스의 테두리 부위가 다이싱으로 인해 기계적으로 손상되는 결과를 보였으나, 2중 다이싱 공정은 분리된 디바이스의 테두리 부위가 거의 손상되지 않고 보존되는 것을 확인할 수 있었다. 이는 2중 다 이싱의 경우 다이싱 동안 웨이퍼의 전면에 도입된 노치부위가 선택적으로 파손되면서 분리된 디바이스의 테두리 부위를 보호하기 때문으로 해석된다. 온도변화 실험을 통해 2중 다이싱 공정의 도입이 단일 다이싱 공정에 비해 T.C. 신뢰성에 서도 대단히 좋은 결과를 보인다는 것을 확인할 수 있었다.

#lead-on-chip package #silicon wafer #dicing #thermal-cycling #reliability

참고문헌 (7)

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B. Prince / 1991 / Semiconductor Memories / John Wiley & Son : 15 ~

N. Morita / 1992 / The Effect of the Interaction of Abrasive Grains on the Deformation and Fracture Behavior of Brittle Materials / Proc. of ASPE-1992 Annual Meeting : 390 ~ 393

R.R. Tummala / 1989 / Microelectronics Packaging Handbook / Van Nostrand Reinhold : 10 ~

S. M. Lee / 2006 / The Dependence of Thermal-Cycling-Induced Failure Mechanism on Topological Feature of Passivated Metallic Conductors in Plastic-Encapsulated Microelectronic Devi

S. M. Lee / 2009 / In-Situ Examinations of Mechanical Dicing- Induced Damage in Semiconductor Wafer / ISFM-2009 Annual Meeting

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