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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제21권 제4호
발행연도
2014.1
수록면
63 - 68 (6page)

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For a nanoscale Cu/low-k wafer, inter-layer dielectric (ILD) and metal layers peelings, cracks, chipping, anddelamination are the most common dicing defects by traditional diamond blade saw process. Sidewall void in sawingstreet is one of the key factors to bring about cracks and chipping. The aim of this research is to evaluate laser grooving& mechanical sawing parameters to eliminate sidewall void and avoid top-side chipping as well as peeling. An ultra-fastpico-second (ps) laser is applied to groove/singulate the 28-nanometer node wafer with Cu/low-k dielectric. A series ofcomprehensive parametric study on the recipes of input laser power, repetition rate, grooving speed, defocus amount andstreet index has been conducted to improve the quality of dicing process. The effects of the laser kerf geometry, groovingedge quality and defects are evaluated by using scanning electron microscopy (SEM) and focused ion beam (FIB). Experimental results have shown that the laser grooving technique is capable to improve the quality and yield issues onCu/low-k wafer dicing process.
#nanoscale low-k wafer #laser kerf geometry #laser grooving

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참고문헌 (12)

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/ / http://www.appliedmaterials.com C. Paydenkar / 2004 / Wafer sawing process characterization for thin Die (75micron) applications / Proc. 29th International Electronics Manufacturing Technology Symposium (IEEE/CPM google schola D. Shamiryan / 2004 / Low-k dielectric materials / Materials Today 7 (1) : 34 ~ google schola H. C. Hsu / 2014 / Laser Drilling and Thermal Stress Analysis on TSV in 3D IC Structure / Proc. International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits : 112 ~ google schola H. H. Jiun / 2006 / Effect of wafer thinning methods towards fracture strength and topography of silicon die / Microelectronics Reliability 46 : 836 ~ google schola

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