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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제15권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
63 - 67 (5page)

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전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 최근 집적 칩(IC)이나 패키지를 적층시키는 삼차원집적화(3D integration) 기술 개발은 차세대 핵심기술로 중요시 되고 있다. 본 연구에서는 삼차원 집적화공정 기술 중 하나인 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭(grinding) 공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향에 대해서조사하였다. 실리콘 웨이퍼를 약 30 μm과 50 μm 두께까지 연삭한 후, 미세연삭(fine grinding) 단계까지처리된 시편을 건식 연마(dry polishing) 또는 습식 애칭(wet etching)으로 표면 처리된 시편들과 비교 분석하였다. 박막 웨이퍼 두께는 전계방사형 주사전자현미경과 적외선 분광기로 측정하였고, 표면 특성 분석을 위해선 표면주도(roughness), 표면손상(damage), 경도를 원자현미경, 투과정자현미경 그리고 나노인덴터(nano-indentor)를 이용하여 측정하였다. 표면 처리된 시편의 특성이 표면 처리되지 않은 시편보다표면주도와 표면손상 등에서 현저히 우수함을 확인 할 수 있었으나, 경도의 경우 표면 처리의 유무에 관계없이 기존의 벌크(bulk) 실리콘 웨이퍼와 오차범위 내에서 동일한 것으로 보였다.

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