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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
9 - 15 (7page)

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PMSSQ (Poly Methyl Silsesquioxane)-based matrix에 BTMSE (Bis Tri Methoxy Silyl Ethane) 를 첨가한 low-k물질의 전기적 특성을 조사하였다. 우리는 절연체로 copolymer를 사용하여 금속-절연체-실리콘 구조를 만들고 BTS실험을 통하여 누설 전류와 파괴 시간을 측정하였다. 코 폴리머의 기공이 30 % 이상이 되었을 때, 파괴 시간이 급속하게 감소되어 진다. 온도에 관하여 파괴 시간으로부터 코 폴리머를 통한 구리 확산의 활성화 에너지는 1.51eV가 측정되었다.
#Low-k materials #Cu drift #Reliability #TDDB #C-V

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/ 1995 / In situ scanning electron microscope comparison studies on electromigration of Cu and Cu alloys for advanced chip interconnects 78 : 4428 ~ google schola / 1996 / ULSI technology : 679 ~ google schola / 1997 / Multilevel interconnections ULSI and GSI era google schola / 1999 / Kinetics of copper drift of low-k polymer interlevel dielectrics 46 (11) : 2178 ~ google schola / 1999 / Mechanism of time dependent time-dependant oxide breakdown in thermally grown SiO films google schola

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