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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.36 No.4
- 발행연도
- 2019.4
- 수록면
- 363 - 372 (10page)
- DOI
- 10.7736/KSPE.2019.36.4.363
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Chemical Mechanical Planarization (CMP) is an indispensable process of forming multilayer integrated circuit. However, it is necessary to understand the pattern in order to achieve global planarization. Material Removal Rate (MRR) depends on the pattern density in the actual CMP process and is required to predict the MRR according to density of the pattern. Based on the Preston equation (CMP governing equation), the MRR can be expressed as a product of pressure, relative velocity, and the Preston`s coefficient. Therefore, understanding of pressure distribution acting on the patterned wafer is essential. Pressure distribution depends on contact area between pad asperity and wafer surface. In this study, pressure distribution according to contact mode between asperity and wafer surface where step height exists was analyzed, and the planarization model presented. Finally, a comparison was done between the mathematical model and the experimental data, and the planarization model was verified.
목차
1. 서론
2. 이론적 배경
3. 수학적 모델링
4. 모델 검증
5. 결론
REFERENCES
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
Takeno, Y. and Okamoto, K., “New Market Trend in CMP Equipment/Material for the “More Than Moore” Era,” Proc. of the International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference, pp. 423-425, 2018.
Stine, B., Ouma, D., Divecha, R., Boning, D., and Chung, J., “A Closed-Form Analytic Model for ILD Thickness Variation in CMP Processes,” Proc. of CMP-MIC, Vol. 1, pp. 1-8, 1997.
Ouma, D., Boning, D., Chung, J., Shin, G., Olsen, L., et al., “An Integrated Characterization and Modeling Methodology for CMP Dielectric Planarization,” Proc. of International Interconnect Technology Conference, pp. 67-69, 1998.
Tang, B. D., “Characterization and Modeling of Polysilicon MEMS Chemical-Mechanical Polishing,” Massachusetts Institute of Technology, Paper No. 17983, 2004.
Hooper, B., Byrne, G., and Galligan, S., “Pad Conditioning in Chemical Mechanical Polishing,” Journal of Materials Processing Technology, Vol. 123, No. 1, pp. 107-113, 2002.
Stine, B., Ouma, D., Divecha, R., Boning, D., and Chung, J., “A Closed-Form Analytic Model for ILD Thickness Variation in CMP Processes,” Proc. of CMP-MIC, Vol. 1, pp. 1-8, 1997.
Ouma, D., Boning, D., Chung, J., Shin, G., Olsen, L., et al., “An Integrated Characterization and Modeling Methodology for CMP Dielectric Planarization,” Proc. of International Interconnect Technology Conference, pp. 67-69, 1998.
Tang, B. D., “Characterization and Modeling of Polysilicon MEMS Chemical-Mechanical Polishing,” Massachusetts Institute of Technology, Paper No. 17983, 2004.
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