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학술저널
저자정보
신소민 (부산대학교) 이다솔 (부산대학교) 정선호 (부산대학교) 정경우 (부산대학교) 최진욱 (부산대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.37 No.8
발행연도
2020.8
수록면
567 - 577 (11page)
DOI
10.7736/JKSPE.020.023

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Chemical mechanical planarization (CMP) is a semiconductor process which is necessary for multi-layer interconnection structure. CMP pad is a consumable used in the process and with numerous asperities on the surface that wear out by the load applied from the contact with the wafer. Also, it has a patterned wafer, the step height is gradually removed by contact of the asperities with upper and lower layers. The contact state would be different according to the step height reduction. Likewise, depending on the pattern size at the specific step height, the maximum radius of the asperity curvature differs whether it reaches the down area. In this study, the height distribution of asperities was expressed as a function of time and asperity height taking into account the wear of asperities, and based on the Greenwood-Williamson theory, a mathematical model for material removal rate considering pattern size was derived. The consistency of the novel model is verified with the CMP experiment conducted using oxide patterned wafers, and the experimental data were compared with the residual step height using theoretical removal rate. The root mean square error of the step height reduction was 19.84 nm.
#Chemical mechanical planarization (화학 기계적 평탄화 공정) #Mathematical modeling (수학적 모델링) #Pad asperity (패드 돌기) #Distribution of asperity height (돌기 높이 분포) #Pattern size (패턴 크기)

목차

1. 서론
2. 이론적 배경
3. 수학적 모델링
4. 실험 및 모델 검증
5. 결론
REFERENCES

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
Liu, R., Pai, C. S., and Martinez, E., “Interconnect Technology Trend for Microelectronics,” Solid-State Electronics, Vol. 43, No. 6, pp. 1003-1009, 1999. google schola Lee, H. and Sung, I. H., “Chemical Mechanical Polishing: A Selective Review of R&D Trends in Abrasive Particle Behaviors and Wafer Materials,” Tribology and Lubricants, Vol. 35, No. 5, pp. 274-285, 2019. google schola Lee, B., “Modeling of Chemical Mechanical Polishing for Shallow Trench Isolation,” Ph.D. Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2002. google schola Boning, D., Lee, B., Oji, C., Ouma, D., Park, T., et al., “Pattern Dependent Modeling for CMP Optimization and Control,” MRS Online Proceedings Library Archive, Vol. 566, 1999. google schola Kasai, T., Anjur, S., Siriwardane, H., and Feeney, P., “Modeling for Pad Wear Control during Conditioning in CMP,” Proc. of the International Conference on Planarization/CMP Technology, pp. 1-6, 2007. google schola

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