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- 자료유형
- 학술저널
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- 발행연도
- 2010.5
- 수록면
- 1,592 - 1,596 (5page)
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IGZO (indium gallium zinc oxide) 박막트랜지스터는, 활성층 채널의 폭과 길이의 비가 고정된 경우에도, 채 널 길이가 길어지면 게이트전압에 대한 드레인 전류의 특성곡선이 양의 전압 방향으로 이동하고 전계효과이동도는 낮아졌다. 채널의 길이와 폭이 고정된 상태에서는, 드레인이 전압 높은 경우에 전계효과이동도가 낮고 문턱아래 기울 기가 큰 특성을 보였다. 이러한 현상은 IGZO 채널층의 일함수가 커서 소스/드레인 전극과 채널층의 접합부 띠굽음이 규소반도체의 경우와 반대방향으로 나타나는 것에 기인하는 것으로 해석된다.
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1. [학술지(정기간행물)] - K. Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / ,Nature 432 : 488 ~ 492
2. [학술지(정기간행물)] - H.Hosono / 2006 / Ionic amorphous oxide semiconductors:Material design,carrier transport,and device application / ,J.Non-Cryst.Solids 352 : 851 ~ 858
3. [학술지(정기간행물)] - H. Lee / 2008 / Oxide TFT with multilayer gate insulator for backplane of AMOLED device / ,J.Soc.Inf.Display 16 : 265 ~ 272
4. [학술지(정기간행물)] - Tze-Ching Fung / 2008 / Photofield-Effect in Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) Thin-Film Transistors / Journal of Information Display 9 (4) : 21 ~ 29
5. [학술지(정기간행물)] - T.Riedl,P.Görrn / 2009 / Transparent electronics for see-through AMOLED displays / ,J.Display Tech., 5 : 501 ~ 508
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3. [학술지(정기간행물)] - H. Lee / 2008 / Oxide TFT with multilayer gate insulator for backplane of AMOLED device / ,J.Soc.Inf.Display 16 : 265 ~ 272
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