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자료유형
학술저널
저자정보
Fung, Tze-Ching (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan) Chuang, Chiao-Shun (Department of Photonics & Display Institute, National Chiao Tung University) Nomura, Kenji (ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center / Material and Structure Lab., Tokyo Institute of Technology) Shieh, Han-Ping David (Department of Photonics & Display Institute, National Chiao Tung University) Hosono, Hideo (ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center / Material and Structure Lab., Tokyo Institute of Technology) Kanicki, Jerzy (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제9권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
21 - 29 (9page)

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We studied both the wavelength and intensity dependent photo-responses (photofield-effect) in amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). During the a-IGZO TFT illumination with the wavelength range from $460\sim660$ nm (visible range), the off-state drain current $(I_{DS_off})$ only slightly increased while a large increase was observed for the wavelength below 400 nm. The observed results are consistent with the optical gap of $\sim$3.05eV extracted from the absorption measurement. The a-IGZO TFT properties under monochromatic illumination ($\lambda$=420nm) with different intensity was also investigated and $I_{DS_off}$ was found to increase with the light intensity. Throughout the study, the field-effect mobility $(\mu_{eff})$ is almost unchanged. But due to photo-generated charge trapping, a negative threshold voltage $(V_{th})$ shift is observed. The mathematical analysis of the photofield-effect suggests that a highly efficient UV photocurrent conversion process in TFT off-region takes place. Finally, a-IGZO mid-gap density-of-states (DOS) was extracted and is more than an order of magnitude lower than reported value for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), which can explain a good switching properties observed for a-IGZO TFTs.
#Metal oxide semiconductor #InGaZnO #TFT #Photofield effect

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A. Kuo / 2008 / . / Jpn. J. Appl. Phys :3362 google schola J.K. Jeong / 2008 / . / Information Display 9 :20 google schola T. Sameshima / 1986 / . / IEEE Electron Device Lett :276 google schola S. S. Kim / 2008 / . / SID Int. Symp. Digest :196 google schola R.A. Street / 1993 / . / IEEE Circuit and Device Magazine 9 :39 google schola

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