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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이석열 (LG Display 연구소) 이경택 (LG Display 연구소) 김재열 (LG Display 연구소) 양명수 (LG Display 연구소) 강인병 (LG Display 연구소) 이호성 (경북대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제47권 제4호
발행연도
2014.8
수록면
181 - 185 (5page)

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We investigated the structural, electrical and optical characteristics of IGZO thin films deposited by a roomtemperature RF reactive magnetron sputtering. The thin films deposited were annealed for 2 hours at various temperatures of 300, 400, 500 and 600℃ and analyzed by using X-ray diffractometer, transmission electron microscopy, atomic force microscope and Hall effects measurement system. The films annealed at 600℃ were found to be crystallized and their surface roughness was decreased from 0.73 nm to 0.67 nm. According to XPS measurements, concentration of oxygen vacancies were decreased at 600℃. Optical band gap were increased to 3.31eV. The carrier concentration and Hall mobility were sharply increased at 600℃. Our results indicate that the IGZO films deposited at a room temperature can show better thin film properties through a heat treatment.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
REFERENCES

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