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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제7권 제6호
발행연도
2006.12
수록면
1,056 - 1,063 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2007

루테늄 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 안정화
윤기정 ,  송오성 ,  김종률 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

2006

Ir과 Co를 첨가한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화 연구
윤기정 ,  송오성 한국산학기술학회 논문지 2006.12 학술저널
이리듐 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화
윤기정 ,  송오성 한국재료학회지 2006.01 학술저널
Pt와 Ir 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화
윤기정 ,  송오성 마이크로전자 및 패키징학회지 2006.01 학술저널

초록· 키워드

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10 ㎚-Ni/1 ㎚-Ir/(poly)Si과 10 ㎚-Ni<sub>50</sub>Co<sub>50</sub>/(poly)Si 구조의 박막을 열증착기로 준비하고 쾌속열처리기로 40초 간 300-1200℃ 온도 범위에서 실리사이드화 시켰다. 이들의 실리사이드 온도에 따른 면저항, 미세구조와 두께, 생성상, 화학조성과 표면조도의 변화를 사점면저항 측정기와 이온빔현미경,x선 회절기, 오제이 분석기, 주사탐침현미경을 써서 확인하였다. Ir과 Co의 혼입에 따라 기존의 700℃에 한정된 NiSi에 비해 단결정, 다결정 실리콘 기판에서의 저 저항 안정 구간이 각각 1000℃, 850℃로 향상되었다. 이때의 실리사이드층의 두께도 20-50 ㎚로 나노급 공정에 적합 하였다. Ir과 Co의 첨가는 단결정 기판에서의 니켈실리사이드의 고저항 NiSi₂로의 변태를 방지하였고, 다결정 기판에서 고온에서의 고저항은 고저항 상의 출현과 실리콘층과의 혼합과 도치현상이 발생한 것이 이유였다. Ir의 첨가는 특히 최종 실리사이드 표면온도를 3 ㎚ 이내로 유지시키는 장점이 있었다. Ir과 Co를 첨가한 니켈실리사이드는 기존의 니켈실리사이드의 열적 안정성을 향상시켰고 나노급 디바이스에 적합한 물성을 가짐을 확인하였다.
#nickel silicide #thermal stability #silicide #Co-inserted #Ir-inserted

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참고문헌 (2)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / The International Technology RoadMap For Semiconductor : 25 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 2006 / Property of cobalt nickel silicide by thermal annealing of Co/Ni bilayer on a silicon substrate 12 (2) : 189 ~ 192 google schola

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