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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제7권 제3호
발행연도
2006.6
수록면
332 - 337 (6page)

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기판전변에 패턴 없이 15 ㎚ Co / 15 ㎚ Ni / 70 ㎚ polysilicon / 200 ㎚ Si0₂ / Si(100) 구조로 적층된 구조로부터 급속열처리기 (rapid thermal annealer RTA)를 이용하여 40초간 700, 900, 1000 ℃의 실리사이드화 온도를 변화시키면서 CoNi 복합실리사이드를 형성하였다. 완성된 두께 100 ㎚ 정도의 CoNi 복합실리사이드층으로 배선층을 만든다고 상정하여, 이중 집속이온빔(dual beam focused ion beam FIB)을 써서 30 ㎸에서 표면전류를 1-100 ㎀ 범위에서 조절하면서 나노급 선폭제작의 가능성을 확인하였다. 각 온도별 복합실리사이드에 동일한 이온빔 조건으로 100 ㎛ 길이의 패턴을 만들고, 이온빔으로 양 끝단에 트렌치를 만들어 FE-SEM으로 각 조건에서의 선폭, 두께, 최종 에칭형상을 확인하였다. 기존 형상변형이 많아서 나노급 선폭 구현이 불리한 폴리사이드 공정에 비해서, 최초로 새로운 저저항 복합실리사이드에 대해서 100 ㎚ 이하의 나노급 피치를 가진 선폭 제작이 30 ㎸ - 30 ㎀ 범위에서 가능 하였다.
#cobalt #interconnect #composite silicide #FIB #silicide #nickel #polycide

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