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학술저널
저자정보
정영순 (서울시립대학교 신소재공학과) 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과) 김상엽 (서울시립대학교 신소재공학과) 최용윤 (서울대학교 반도체공동연구소) 김종준 (서울대학교 반도체공동연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
301 - 305 (5page)

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We fabricated nickel silicide layers on whole non-patterned wafers from $p-Si(100)SiO_2(200nm)$/poly-Si(70 nm)mn(40 nm) structure by 40 sec rapid thermal annealing of $500\~900^{\circ}C$. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, surface roughness, and phase analysis were investigated by a four point probe, a field emission scanning electron microscope, a scanning probe microscope, and an X-ray diffractometer, respectively. Sheet resistance was as small as $7\Omega/sq$. even at the elevated temperature of $900^{\circ}C$. The silicide thickness and surface roughness increased as silicidation temperature increased. We confirmed the nickel silicides iron thin nickel/poly-silicon structures would be a mixture of NiSi and $NiSi_2$ even at the $NiSi_2$ stable temperature region.
#nickel mono silicide #gate silicide #silicides #salicide #gate oxide

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