텅스텐 실리사이드를 차세대 게이트 전극으로 이용한 MOS 소자의 특성 분석 ( Characterisitics of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices with Tungsten Silicide for Alternate Gate Metal )

노관종 ,  윤선필 ,  양성우 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .07

W-TiN 금속 게이트를 사용한 금속-산화막-반도체 소자의 특성 분석

윤선필 ,  노관종 ,  양성우 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

텅스텐 실리사이드 열처리 거동에 미치는 계면 효과

진원화 ,  오상헌 ,  이재갑 외 4명

한국표면공학회지

1997 .12

코발트 니켈 복합 실리사이드 공정에서 하부 형상에 따른 잔류 금속의 형상 변화

송오성 ,  김상엽

한국산학기술학회 논문지

2005 .06

금속-산화막-반도체(MOS) 소자에서의 전자주입에 따른 느린 준위의 전류 응답 특성 연구

최성우 ,  전현구 ,  안병철 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

열처리에 따른 금속-반도체-금속 구조 광 검출기의 전기적 특성

김경민 ,  이재성

대한전자공학회 학술대회

2014 .11

텅스텐 실리사이드 박막 들뜸에 관한 연구

한성호 ,  이재갑 ,  김창수 외 1명

한국표면공학회지

1996 .02

전력용 반도체 소자

韓民九

전기의세계

1985 .03

석영 기판 위에서 텅스텐 실리사이드 게이트 전극 형성에 관한 연구

오상현 ,  김지용 ,  김지영 외 3명

한국재료학회지

1998 .01

플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )

윤재석 ,  이상돈 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1996 .09

텅스텐 폴리사이드를 이용한 게이트 산화막의 절연특성 개선에 관한 연구 ( A Study on the Dielectric characteristics improvement of gate oxide using tungsten policide )

엄금용 ,  오환술

전자공학회논문지-D

1997 .06

금속산화물의 표면 특성 연구

이인형 ,  안현경 ,  안문

대한환경공학회 학술발표논문집

2002 .06

다결정 실리콘으로 제조된 금속-반도체-금속 구조를 갖는 광 검출기의 전기적 특성

김경민 ,  김정열 ,  이재성

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 ( Breakdown Characteristics of Gate Oxide with Tungsten Polycide Electrode )

정회환 ,  이종현 ,  정관수

전자공학회논문지-A

1996 .12

PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성

노영진 ,  이충근 ,  홍신남

전자공학회논문지-SD

2004 .04

박막 게이트 산화막에 대한 Ru-Zr 금속 게이트의 신뢰성에 관한 연구

李忠根 ,  徐賢尙 ,  洪信男

전기학회논문지 C

2004 .04

Cu와 Co 및 Co/내화금속 이중층 실리사이드 계면의 열적 안정성

권영재 ,  이병욱 ,  이종무 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

게이트 물질을 달리한 MOS소자의 플라즈마 피해에 대한 신뢰도 특성 분석

윤재석

한국정보통신학회논문지

2000 .06