금속-산화막-반도체 소자에서 대체 게이트 금속인 텅스텐 실리사이드의 특성 분석

노관종 ,  윤선필 ,  양성우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성

노영진 ,  이충근 ,  홍신남

전자공학회논문지-SD

2004 .04

동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )

김진섭 ,  이우일 ,  이대우 외 1명

전자공학회지

1985 .07

게이트 물질을 달리한 MOS소자의 플라즈마 피해에 대한 신뢰도 특성 분석

윤재석

한국정보통신학회논문지

2000 .06

텅스텐 실리사이드 열처리 거동에 미치는 계면 효과

진원화 ,  오상헌 ,  이재갑 외 4명

한국표면공학회지

1997 .12

자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )

김진섭 ,  이종현 ,  이덕동 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )

김진섭 ,  이종현 ,  이덕동 외 1명

전자공학회지

1984 .11

Formation of Mo-Silicide on Mo Tip

Oh ,  Chang-Woo ,  Kim 외 6명

한국정보디스플레이학회 학술대회

2000 .01

D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계

성만영

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )

최원은 ,  장의구 ,  이종인

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

MOS 게이트 검증을 위한 대수적 접근 방법 ( An algebraic approach for the evaluation of MOS gates )

공진흥

전자공학회논문지-A

1993 .04

Si 기판 위에 형성된 Mo-silicides에 관한 연구 ( A study of Mo-silicides formed on Si-substrate )

조한수 ,  조현춘 ,  최진석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

ZrO2 게이트 절연막 위에 증착된 Mo 게이트 전극의 특성

강영섭 ,  안재홍 ,  김재영 외 1명

전기전자재료학회논문지

2005 .01

Si 기판 위에 Mo-Silicides의 형성과 그 특성에 관한 연구 ( A Study on the Properties and Formation of Mo-Silicides on Si-Substrate )

조한수 ,  조현춘 ,  최진석 외 1명

전자공학회논문지-A

1991 .01

플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )

윤재석 ,  이상돈 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1996 .09

석영 기판 위에서 텅스텐 실리사이드 게이트 전극 형성에 관한 연구

오상현 ,  김지용 ,  김지영 외 3명

한국재료학회지

1998 .01

2.25Cr-1Mo강에서 Mo 함량에 따른 고온환경에서의 용접부 미세조직 및 물성변화

최창현 ,  이해우

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

2010 .05

텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 ( Breakdown Characteristics of Gate Oxide with Tungsten Polycide Electrode )

정회환 ,  이종현 ,  정관수

전자공학회논문지-A

1996 .12

Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices

Byung-Gook Pa ,  k ,  Woo Young Choi 외 1명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2006 .07