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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
110 - 114 (5page)

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Dependence of the thermal stability of nickel silicide on the film stress of inter layer dielectric (ILD) layer has been investigated in this study and silicon nitride (Si3N4) layer is used as an ILD layer. Nickel silicide was formed with a one-step rapid thermal process at 500 oC for 30 sec. 2000 Å thick Si3N4 layer was deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition after the formation of Ni silicide and its stress was split from compressive stress to tensile stress by controlling the power of power sources. Stress level of each stress type was also split for thorough analysis. It is found that the thermal stability of nickel silicide strongly depends on the stress type as well as the stress level induced by the Si3N4 layer. In the case of high compressive stress, silicide agglomeration and its phase transformation from the low-resistivity nickel mono-silicide to the high-resistivity nickel di-silicide are retarded, and hence the thermal stability is obviously improved a lot. However, in the case of high tensile stress, the thermal stability shows the worst case among the stressed cases.
#Nickel silicide #Thermal stability #Silicon nitride #Mechanical stress #Nano MOSFETs

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참고문헌 (19)

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/ 1909 / The tension of metallic films deposited by electrolysis google schola / 1973 / Calculated elastic constants for stress problems associated with semiconductor devices google schola / 1986 / Self-aligned silicides or metals for very large scale integrated circuit applications google schola / 1997 / Salicidation process using NiSi and its device application 81 (12) : 8047 ~ google schola / 1999 / Stress evolution during isochronal annealing of Ni/Si system 350 : 91 ~ google schola

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