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학술저널
저자정보
한길진 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 조유정 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 오순영 (충남대학교 전자공학과) 김용진 (충남대학교 전자공학과) 이원재 (충남대학교 전자공학과) 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제4권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
7 - 10 (4page)

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[ $SiO_{2}$ ] or SiON is usually deposited and annealed after formation of silicide in real transistor fabrication processes. Nickel silicide and nickel silicide with Co interlayer were annealed at 650$^{\circ}C$ for 30 min with silica top layer in this study to investigate its thermal stability. SEM, XPS, and FPP(four point probe) were employed for the investigation. Nickel silicide with Co interlayer showed improved thermal stability. Co interlayer seems to play a key role to the stability of nickel silicide.
#Cobalt silicide #Nickel silicide #Co interlayer #Silicide #Top layer #Thermal stability

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