Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Indium Doped Buried Channel pMOSFETs with n Polysilicon Gate

이영택 ,  이종덕 ,  박병국

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s

Seong Taik Hong ,  Jong Tae Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Deep Submicrometer 표면 채널형 PMOSFET의 단채널 특성 ( The Characteristics of Short Channel Effect in Deep Submicrometer Surface-Channel PMOSFETs )

이재기 ,  홍성희

한국통신학회 전문대학 논문지

1996 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

협폭 buried-channel Charge Coupled Devices의 최대 채널전위 계산방법

계훈우 ,  김태한 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

Buried Channel 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 설계 및 제작

朴喆民 ,  姜智動 ,  柳俊錫 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .12

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Nano scale PMOSFET에서 Channel Stress에 의한 DC 특성 및 Channel Back Scattering의 변화 관찰

나민기 ,  한인식 ,  최원호 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2007 .11

Buried Channel MOS 구조를 이용한 표면생성속도 측정 방법 ( A Surface Generation Velocity Measurement Technique Using the Buried Channel MOS Structure )

조성호 ,  허연철 ,  이종덕

전자공학회논문지-A

1992 .07

SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구

정의영 ,  이경택 ,  박민상 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Extended MINIMOS를 이용한 매몰 채널과 표면 채널 PMOSFET의 노쇠화 현상 비교 ( A Comparative of Degradation Effects in Buried-and Surface-Channel PMOSFET`s Using Extended MINIMOS )

정우표 ,  여협구 ,  유동열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )

홍성택 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1994 .08

게르마늄 응축 공정의 모델링과 나노와이어 PMOSFET 응용

윤민아 ,  조성재

전자공학회논문지

2016 .03