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본 논문에서는 게르마늄 응축 공정을 모델링하고 공정을 적용한 나노와이어 구조의 게르마늄 PMOSFET의 특성을 소자 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 기존의 연구 결과들을 토대로 하여 모델링을 수행한 결과, 게르마늄 응축 공정 과정에서 얻게 되는 벌크 영역에서의 게르마늄 농도(C<SUB>B</SUB>)에 대한 실리콘 게르마늄-실리콘 산화막 계면에서의 게르마늄 농도의 비율(C<SUB>S</SUB>)은 약 4.03, 해당 공정 온도에서 게르마늄 원자의 유효 확산 계수(D<SUB>eff</SUB>)은 약 3.16 ㎚²/s으로 추출되었다. 나아가, 게르마늄 응축 공정을 통하여 구현할 수 있는 실리콘 코어 상에 얇은 게르마늄 채널을 갖는 나노와이어 채널 구조의 PMOSFET을 설계하고 성능을 분석하였다. 이를 통하여, 전영역을 실리콘으로 혹은 게르마늄으로 하는 채널을 갖는 소자에 비하여 실리콘 코어-게르마늄 채널의 동축 이종접합 채널을 갖는 소자가 우수한 특성을 가질 수 있음을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 공정 모델링 및 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, and S. Takagi, “(110) Ultrathin GOI layers fabricated by Ge condensation method," Thin Solid Films, vol. 517, no. 1, pp. 178-180, Aug. 2008.
S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama, and S. Takagi, “Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique,” Applied Physics Letters, vol. 83, no. 17, pp. 3516-3518, Oct. 2003.
S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, “Formation Mechanism of Ge-on-Insulator Layers by Ge-condensation Technique,” Proceedings of The 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Mexico, USA, Nov. 2006.
N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Mizuno, M. Suzuki, Y. Ishikawa, N. Shibata, and S. Takagi, “Temperature effects on Ge condensation by thermal oxidation of SiGe-on-insulator structures,” Journal of Applied Physics, vol. 95, no. 8, pp. 4007-4011, Apr. 2004.
F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsei, and B. S. Meyerson, “Oxidation studies of SiGe,” Applied Physics Letters, vol. 65, no. 4, pp. 1724-1728, Feb. 1989.
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