Hot Carrier Effects in the Deep Submicrometer SC-PMOSFET

장성준 ,  김형기 ,  김용택 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )

장성준 ,  김용탁 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-A

1996 .04

Deep-submicrometer MOSFET의 유효채널 길이 유출 방법에 관한 연구 ( A new method to extract the effective channel length and the velocity saturated region length of a deep-submicrometer MOSFET )

이창진 ,  홍신남

한국통신학회 학술대회논문집

1992 .01

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Deep-submicrometer MOSFET의 유효채널길이 抽出 方法에 關한 硏究

이창진 ,  홍신남

한국통신학회 학술대회논문집

1992 .11

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

저전압에서 Deep Submicrometer NMOSFET의 소자 열화 ( Degradation of Deep Submicrometer NMOSFET At Low Voltage )

장성준 ,  하대남 ,  김동욱 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

저전압에서 Deep Submicrometer NMOSFET의 소자 열화

장성준 ,  하대남 ,  김동욱 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

An Extraction model of the Threshold voltage due to hot Carrier Effect in Deep Submicrometer MOSFETs

Seog Ju Oh

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1994 .01

Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )

홍성택 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1994 .08

Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s

Seong Taik Hong ,  Jong Tae Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Hot Carrier Effects in Extreme Submicrometer CMOS

Jong Tae Pa ,  k ,  Dae Nam Ha 외 5명

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .08