수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .08

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )

정성익 ,  박종태

전자공학회논문지

1990 .02

내장된 전송 게이트를 가지는 PMOSFET형 광검출기를 사용한 픽셀의 동작 범위 향상

이수연 ,  서상호 ,  서민웅 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

DC and RF Characteristics of Si_0.8Ge_0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

Young-Joo Song ,  Kyu-Hwan Shim ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2003 .06

Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선

이남호 ,  김승호

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .10

P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s

Seong Taik Hong ,  Jong Tae Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

고감도 능동픽셀센서를 위한 PMOSFET 광검출기의 특성

박재현 ,  서상호 ,  이준규 외 4명

센서학회지

2003 .01