수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )

김용탁 ,  김덕기 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-A

1995 .06

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )

정성익 ,  박종태

전자공학회논문지

1990 .02

Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )

홍성택 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1994 .08

다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFET의 노쇠화 메카니즘

김형기 ,  장성준 ,  박현진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

DC and RF Characteristics of Si_0.8Ge_0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

Young-Joo Song ,  Kyu-Hwan Shim ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2003 .06

Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선

이남호 ,  김승호

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .10

Extended MINIMOS를 이용한 매몰 채널과 표면 채널 PMOSFET의 노쇠화 현상 비교 ( A Comparative of Degradation Effects in Buried-and Surface-Channel PMOSFET`s Using Extended MINIMOS )

정우표 ,  여협구 ,  유동열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s

Seong Taik Hong ,  Jong Tae Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1994 .01