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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1994.8
- 수록면
- 1,045 - 1,052 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (5)
1994
Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )
홍성택
,
박종태
전자공학회논문지-A
1994.08
학술저널
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
홍성택
,
유종근
,
박종태
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
홍성택
,
유종근
,
박종태
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
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노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
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Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
전자공학회논문지-A
1993 .08
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PMOSFET에서 hot electron에 의한 유효 채널 길이 변화와 HEIP 관계
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
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PMOSFET에서 hot electron에 의한 유효 채널 길이 변화와 HEIP 관계 ( The Hot Electron Induced Effective Channel Length Modulation in PMOSFET`s and It`s Effects on HEIP Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
-
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )
전자공학회논문지-A
1994 .01
-
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
-
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1996 .04
-
Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )
전자공학회논문지-A
1993 .12
-
0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )
전자공학회논문지-A
1994 .11
-
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
전자공학회논문지-SD
2004 .07
-
Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
이 논문의 저자 정보
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