Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

Hot Electron Induced Channel Shortening Length Model in PMOSFET’s

Seong Taik Hong ,  Jong Tae Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Deep Submicrometer 표면 채널형 PMOSFET의 단채널 특성 ( The Characteristics of Short Channel Effect in Deep Submicrometer Surface-Channel PMOSFETs )

이재기 ,  홍성희

한국통신학회 전문대학 논문지

1996 .01

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )

홍성택 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

MOS 구조시뮬레이션과 공정시험을 통한 pMOSFET 이온화 방사선 측정용 센서의 감도개선 연구

이남호 ,  이현진 ,  황영관 외 1명

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2007 .12

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

DC and RF Characteristics of Si_0.8Ge_0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

Young-Joo Song ,  Kyu-Hwan Shim ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2003 .06

Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선

이남호 ,  김승호

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .10

수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )

오순영 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )

홍성택 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1994 .08

초고주파용 SiGe pMOSFET에 대한 전기적 특성 분석

정학기 ,  고석웅

한국정보통신학회논문지

2003 .06

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .08

고감도 능동픽셀센서를 위한 PMOSFET 광검출기의 특성

박재현 ,  서상호 ,  이준규 외 4명

센서학회지

2003 .01