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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1991.11
- 수록면
- 370 - 373 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1993
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
정우표
,
류동렬
,
양광선
외 2명
전자공학회논문지-A
1993.09
학술저널
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
정우표
,
류동렬
,
양광선
외 2명
전자공학회논문지-A
1993.08
학술저널
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Extended MINIMOS를 이용한 p-MOSFET의 노쇠화 현상 연구 ( A Study of Degradation effects on p-MOSFET Using Extended MINIMOS . )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
-
MINIMOS를 이용한 Device Simulation
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
-
MINIMOS를 이용한 디바이스 시뮬레이션
전자공학회잡지
1983 .10
-
SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s )
전자공학회논문지-A
1994 .01
-
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델 ( Semi Empirical Model for the Threshold Voltage and the Effective Channel Length of Degraded PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이를 위한 반 경험적 모델
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
-
0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )
전자공학회논문지-A
1994 .11
-
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
-
Hot electron 에 의하여 노쇠화된 PMOSFET 의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링 ( The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron )
전자공학회논문지-A
1994 .08
-
Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
정확도가 개선된 MINIMOS를 이용한 LDD MOSFET의 2차원적인 Numerical Simulation ( More Accurate 2 Dimensional Numerical Simulation of LDD MOSFET Using Minimos )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Deep Submicrometer 표면 채널형 PMOSFET의 단채널 특성 ( The Characteristics of Short Channel Effect in Deep Submicrometer Surface-Channel PMOSFETs )
한국통신학회 전문대학 논문지
1996 .01
-
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
다이나믹 스트레스에서 LDD PMOSFET의 노쇠화 메카니즘
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
-
Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1996 .04
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