분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07

MBT에 의한 HEMT ( HEMT Devices by MBE )

김봉열

한국통신학회 워크샵

1986 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

InP HEMT의 변조된 1.55㎛ 광신호 검출 특성

강효순 ,  최창순 ,  최우영 외 3명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

MBE로 성장시킨 GaAs/AL0.3Ga0.7As층의 고분해능 투과전자현미경에 의한 연구 ( A High-Resolution Transmission Electron Microscopy Study of MBE Grown GaAs/AL0.3Ga0.7As Layers )

이정용

전자공학회논문지

1989 .08

MBE로 성장된 HEMT에서 Si : AlGaAs층의 주된 깊은 준위 측정 ( Characterization of Dominant Deep Levels in the Si-Doped AlGaAs Layer of MBE Grown HEMT`S )

배동건 ,  정상구

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

P+ -In0.53Ga0.47As / Inp의 저항성 접촉특성 ( The Properties of Ohmic Contact to P+ -In0.53Ga0.47As / InP )

김남준 ,  이상용 ,  이재혁 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

전자공학회논문지

1989 .11

MBE로 성장한 $Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 초격자의 X-ray 로킹커브 분석

김창수 ,  조양구 ,  노삼규

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

A Study on the Defects in In0.53 Ga0.47 As / In0.52 Al0.48 As / InP Epi-Structure

이해권 ,  김상기 ,  노동완 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

Growth and Characterization of InGaP/InGaAs p-HEMT Using Compound Source MBE

J. H. Kim ,  S. J. Kang ,  S. J. Jo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

HEMT 기생소자의 새로운 추출법 ( A New Parasitic Extraction Method for HEMTs )

김병성 ,  남상욱

대한전자공학회 학술대회

1994 .05

InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 다중 양자 우물의 특성 평가 ( Material properties fo In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy )

이종수 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .05

ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_{2}(In{1-x}M_{2})_{2}O_{3}$ (M Ga, Al)

Yamamu ,  a ,  H. 외 9명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01