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이용수
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Epitaxial layer growth and device fabrication
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusions
Reference
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1986 .01
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1996 .11
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1998 .11
InGaAs Nano-HEMT Devices for Millimeter-wave MMICs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .09
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1997 .11
Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s
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1991 .01
2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델
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1989 .01
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