InP의 Ohmic Contact 특성 ( Characteristic Analysis of Ohmic Contacts To InP )

양광선 ,  정학기 ,  이승원 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

HeMT소자 공정 연구 - Part 2. HEMT 구조에서의 Ohmic 접촉저항 ( A Study on HEMT Device Process - Part 2. Ohmic Contact Resistance in GaAs/AlGaAs Hetero-Structure )

이종람 ,  이재진 ,  박성호 외 2명

전자공학회논문지

1989 .10

p-InP의 저항성 합금 접촉 특성 연구 ( The Properties of Alloyed Ohmic Contact to p-InP )

이중기 ,  박경현 ,  한정희 외 1명

전자공학회논문지

1990 .04

P+ -In0.53Ga0.47As / Inp의 저항성 접촉특성 ( The Properties of Ohmic Contact to P+ -In0.53Ga0.47As / InP )

김남준 ,  이상용 ,  이재혁 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

InP/InGaAs HPT's 제작을 위한 ITO/n⁺ - InP Ohmic contact 특성연구

황용한 ,  한교용

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

InP HEMT의 변조된 1.55㎛ 광신호 검출 특성

강효순 ,  최창순 ,  최우영 외 3명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Recess Etching을 통한 AlGaN/GaN HEMT의 Ohmic 특성 개선에 관한 연구

손웅비 ,  안호정 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

2010 .11

Optimization of Ohmic Contact Metallization Process for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor

Wang Cong ,  김남영 ,  조성진

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2013 .01

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

Ⅲ-Ⅴ광소자 제작을 위한 ITO/n+-InP 옴 접촉 특성연구

황용한 ,  한교용

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Ohmic Contact to n-GaN

Dae Woo Kim ,  Joon Seop Kwak ,  Hong Koo Baik 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07

Development of Ohmic Contact to GaN

김대우 ,  배준철 ,  곽준섭 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

Low Resistance Pd / Sb / Zn / Pd Ohmic Contact Scheme to p-InP

박문호 ,  L. C. Wang ,  박경완 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01