차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate )

윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

15GHz Dielectric Resonator Oscillator using 0.13um T-Gate GaAs Pseudomorphic HEMT

Chung Soo Han ,  Keun Kwan Ryu ,  Chan Joo Lee 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Fabrication of GaAs Pseudomorphic HEMTs with Extremely Low Noise Figure of 0.26 Db at 12 GHz

Jin Hee Lee ,  Hyung Sup Yoon ,  Sang Soo Choi 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

0.35㎛ T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic )

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

절연 게이트 역 이중 채널 전력용 Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성 연구

배병숙 ,  서영석 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

Fabrication of 0.2μm T-Gate Low Noise Noise Pseudomorphic HEMT by Using Double E-Beam Exposure Technique

백승원 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

InP HEMT의 변조된 1.55㎛ 광신호 검출 특성

강효순 ,  최창순 ,  최우영 외 3명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

P-HEMT를 이용한 5.8 GHz ITS용 저잡음 증폭기 설계

김봉연 ,  강석엽 ,  박효달

한국통신학회 학술대회논문집

2000 .11

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07