Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구

文東贊 ,  徐英錫 ,  金善泰 외 1명

전기학회논문지

1988 .06

약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법

전만영

한국정보통신학회논문지

2003 .08

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

HEMT 기생소자의 새로운 추출법 ( A New Parasitic Extraction Method for HEMTs )

김병성 ,  남상욱

대한전자공학회 학술대회

1994 .05

MBT에 의한 HEMT ( HEMT Devices by MBE )

김봉열

한국통신학회 워크샵

1986 .01