P+ -In0.53Ga0.47As / Inp의 저항성 접촉특성 ( The Properties of Ohmic Contact to P+ -In0.53Ga0.47As / InP )

김남준 ,  이상용 ,  이재혁 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_{2}(In{1-x}M_{2})_{2}O_{3}$ (M Ga, Al)

Yamamu ,  a ,  H. 외 9명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_2{(In_{1-x}M_{x})}_2O_{5}$(M=Ga, Al)

Paik ,  Jong-Hoo ,  Nahm 외 11명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 다중 양자 우물의 특성 평가 ( Material properties fo In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy )

이종수 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .05

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

I2L의 n-epi 두께에 따른 접합용량에 관한 연구 ( A Study on Junction Capacitance Of I2L According To N-Epi Layer )

이선희 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구

文東贊 ,  徐英錫 ,  金善泰 외 1명

전기학회논문지

1988 .06

First Principles Calculation of Band Offsets and Defect Energy Levels in Al₂O₃/β-Ga₂O₃ Interface Structures with Point Defects

Junsung Pa ,  k ,  Sung-Min Hong

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2019 .08

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구

서한욱 ,  정다운 ,  이 빈 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

EPI 득점분석 및 델파이 기법을 통한 녹색건축 인증기준의 에너지 성능 득점체계 개선 연구

박지혜 ,  박상동 ,  이상홍 외 1명

대한건축학회 논문집 - 계획계

2014 .08