MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 다중 양자 우물의 특성 평가 ( Material properties fo In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy )

이종수 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .05

A Study on the Defects in In0.53 Ga0.47 As / In0.52 Al0.48 As / InP Epi-Structure

이해권 ,  김상기 ,  노동완 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

InP HEMT의 변조된 1.55㎛ 광신호 검출 특성

강효순 ,  최창순 ,  최우영 외 3명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

P+ -In0.53Ga0.47As / Inp의 저항성 접촉특성 ( The Properties of Ohmic Contact to P+ -In0.53Ga0.47As / InP )

김남준 ,  이상용 ,  이재혁 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_2{(In_{1-x}M_{x})}_2O_{5}$(M=Ga, Al)

Paik ,  Jong-Hoo ,  Nahm 외 11명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_{2}(In{1-x}M_{2})_{2}O_{3}$ (M Ga, Al)

Yamamu ,  a ,  H. 외 9명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11