Admittance Spectroscopy of Dominant Deep Levels in Highly Doped AlGaAs Layer of MBE Grown HEMT's

Sang-Koo Chung

JOURNAL OF KIEE

1989 .03

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

MBT에 의한 HEMT ( HEMT Devices by MBE )

김봉열

한국통신학회 워크샵

1986 .01

AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종접합 HEMT구조에서의 2차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 ( Quantum Mechanical Calculation of Two-Dimensional Electron Gas Density in AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction HEMT Structures )

윤경식 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지-A

1992 .03

MBE의 제작 및 Si 박막 성장

변상섭 ,  이영화 ,  이호일 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )

김흥락 ,  서영석 ,  양승주 외 4명

전자공학회논문지-A

1991 .11

GaAs / AlGaAs HEMT 구조의 2DEG 측정 ( The Measurements of 2DEG in GaAs / AlGaAs HEMT structure )

이재진 ,  맹성재 ,  박효훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

PCS용 전력 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 P-HEMTs의 제작과 특성

이진혁 ,  김우석 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Si MBE를 이용한 양자구조 성장에 관한 연구

황윤택 ,  김홍습 ,  우상정 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )

김무성 ,  김용 ,  엄경숙 외 2명

전자공학회논문지

1990 .02

Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Mbe법에 의하여 성장된 GaAs / AlGaAs 다양자 우물 시료의 photoreflectance 특성 연구 ( Photoreflectance Characterization of the GaAs / AlGaAs Multiquantum Well Grown by Mbe )

홍치유 ,  강태원 ,  김득녕 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Growth and Characterization of InGaP/InGaAs p-HEMT Using Compound Source MBE

J. H. Kim ,  S. J. Kang ,  S. J. Jo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06