기판온도 및 공정압력이 Al-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향

강성준; 정양희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강성준 (전남대학교) 정양희 (전남대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제14권 제3호

발행연도: 2010.3

수록면: 691 - 698 (8page)

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본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 AZO 세라믹 타켓 (Al₂O₃ : 3 wt%) 을 이용하여 Eagle 2000 유리 기판위에 기판온도 (100 ~ 500 ℃) 와 공정압력 (10 ~ 40 mTorr) 에 따른 AZO 박막을 제작하여, 결정화 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 모든 AZO 박막은 육방정계구조를 가지는 다결정이었고, (002)우선 배향성이 관찰되었다. 기판온도 300 ℃, 10 mTorr 에서 제작한 AZO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성을 나타냈으며 이때의 반가폭 값은 0.42˚였다. 전기적 특성은 기판온도 300℃, 10 mTorr 에서 가장 낮은 비저항 2.64×10?³ Ω㎝과 우수한 캐리어 농도 및 이동도를 5.29×10²?㎝?³, 6.23 ㎠/Vs를 나타내었다. 모든 AZO박막은 가시광 영역에서 80 % 의 투과율을 나타내었으며, 기판온도 증가와 공정압력 감소에 따른 Al 도핑효과의 증가로 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰 되었다.

#투명전도막 #비저항 #투과도 #Teo #Al-doped ZnO(AZO) #Resistivity #Transmittance #Burstein-Moss effect

참고문헌 (14)

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1. [학술지(정기간행물)] - Y. K. Moon / 2006 / The influence of substrate temperature on the properties of aluminum-doped zinc oxide thin films deposited by DC magnetron sputtering / J. Mater. Sci 17 : 973 ~ 977

2. [학술지(정기간행물)] - R. B. H. Tahar / 2005 / Boron-doped zinc oxide thin films prepared by sol-gel technique / J. Mater. Sci 40 : 5285 ~ 5289

3. [학술지(정기간행물)] - Q. B. Ma / 2008 / Substrate temperature dependence of the properties of Ga-doped ZnO films deposited by DC reactive magnetron sputtering / Vacuum 82 : 9 ~ 14

4. [학술지(정기간행물)] - A. I. Ali / 2006 / Growth and Characterization of ZnO:Al Thin Film Using RF Sputtering for Transparent Conducting Oxide / Journal of the Korean Physical Society 49 (III) : 652 ~ 656

5. [학술지(정기간행물)] - Q. B. Ma / 2007 / Structural, electrical, and optical properties of transparent conductive ZnO:Ga films prepared by DC reactive magnetron sputtering / J. Crystal. growth 304 : 64 ~ 68

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