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학술저널
저자정보
정윤근 (전남대학교) 정양희 (전남대학교) 강성준 (전남대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제15권 제7호
발행연도
2011.7
수록면
1,559 - 1,563 (5page)

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본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 (RF magnetron sputtering) 법으로 기판 온도 (50~200℃) 에 따른 GZO (Ga: 5 wt%)박막을PES (polyethersulfon)플라스틱 기판위에 제작하여, 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 GZO 박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 기판 온도 200℃에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (0.l96㎚) 을 나타내었다. 투과도 측정 결과,GZO 박막은 약 80% 이상의 투과율을 보였고, 기판 온도가 증가할수록 에너지 밴드갭이 증가하는 Burstein-Moss 효과를 관찰할 수 있었다. Hall측정 결과, 기판온도200℃에서 제작한 GZO 박막에서 가장 낮은 비저항6.93 × 10-4 Ωㆍ㎝값과 가장 높은 캐리어 농도7.04 × 1020/㎤ 값을 나타내었다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (14)

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