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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
김만수 (한양대학교) 배석주 (한양대학교)
저널정보
한국경영과학회 한국경영과학회 학술대회논문집 한국경영과학회 2008년 춘계공동학술대회 논문집
발행연도
2008.5
수록면
780 - 786 (7page)

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초록· 키워드

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Gate oxide breakdown is a key mechanism limiting IC lifetime. In this paper, we examine the characteristics of time dependent dielectric breakdown (TDDB) for ultra-thin gate oxide based on percolation models. From fractal theory describing complex geometrical structures, we investigate the relationship between the gate oxide structure and the critical defect density in ultrathin gate oxide breakdown.
#Area Scaling #Fractal structure #Gateoxide breakdown #Percolation model #Time dependent dielectric breakdown #Weibull distribution

목차

Abstract
1. 서론
2. 게이트 옥사이드 고장에 대한 통계적 실험 모형
3. Critical Phenomena in Fractal Structure
4. 시뮬레이션과 결과
5. 결론
참고문헌

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